太陽能板廠家

新聞分類

產品分類

聯系我們

深圳市迪晟能源技術有限公司

聯系人:張女士

電話:18923848794

電話:0755-2919-1169/1189

郵箱:[email protected]  [email protected]

公司網址:www.xyauqm.live

地址:深圳市寶安區石巖鎮洲石路108號華澤高新產業園,B棟3樓 c棟2,3樓


CIGS薄膜太陽能電池板,太陽能電池板價格表

您的當前位置: 首 頁 >> 資訊中心 >> 行業新聞

CIGS薄膜太陽能電池板,太陽能電池板價格表

發布日期:2019-06-24 00:00 來源:http://www.xyauqm.live 點擊:

      要實現太陽能光伏發電真正意義上的大規模推廣應用,最大課題仍為降低系統發電成本。近年來,作為光伏發電系統主體部件的太陽電池,其技術創新進步及產業規模擴大皆已取得長足發展。太陽電池雖說種類繁多,大致可分為(片狀)晶體硅太陽能電池板和薄膜太陽能電池板兩大類。由于研究開發及各國多種普及推廣政策的促進,晶體硅太陽能電池板早已達到實用化階段。自從20世紀80年代初,商業化薄膜太陽能電池板進入市場以來,品體硅電池的性能已取得尤為顯著的進步且電池的效率仍存在進一步提升潛力,近年來產業化規模書張速度更為驚人。與此同寸,各種薄膜電池的研發成果及產業化技術也在不斷涌現。下面,簡要對硅系薄膜太陽電池,CIGS、CdTe及染料敏化等薄膜太陽電池進行介紹,以便讀者針對不同應用作出適當選用。

CIGS-90-1.jpg

  硅薄膜太陽能電池板

  硅薄膜太陽能電池板,包括非晶硅、微晶硅、多晶硅薄膜太陽能電池板

  (1)非晶硅(amorphous silicon, a-Si) 薄膜太陽能電池板在晶體硅太陽電池中,真正起發電作用的僅是硅片表面附近的很少部分,離表面較遠部分并不直接起發電作用。為了盡量節約硅材料,有效降低生產成本,晶體硅太陽能電池板正向薄片化方向發展。目前硅片厚度已降至200pm以下;另一方面,就是向薄膜化方向發展。非晶硅薄膜太陽能電池板是最早實現進入市場的商業化薄膜太陽能電池板。

  非晶硅薄膜太陽能電池板,是在非硅的襯底上制作很薄的硅薄膜來發電,制作硅薄膜的方法普遍采用等離子增強化學氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD),簡而言之就是把原材料硅烷(SiH4) 利用輝光放電使其分解,借助化學反應在襯底上堆積硅海膜。非晶硅中的原子大致上保持與晶體硅相同的基本結構。晶體硅是每個硅原子通過共價鍵與其他4個硅原子鍵合成四面體,摻氫非晶硅僅以共價鍵與其他3個相鄰的硅原子相鍵合,而硅的第1個價原子與氫原子鍵合。在摻氫非晶硅中,化合氫的含量用原子百分數表示占10%左右。這些氫原子會直接對懸掛鍵 (dangling bond)缺陷結合,減少對電子的捕獲,以達到非品硅的低缺陷密度,使其能夠作為太陽電池應用,下面, 從應用者視角,有必要關注如下幾點

CIGS-36.jpg

  ①非晶硅太陽電池與晶體硅太陽電池的不同點 非晶體太陽電池基本也是P-N結構,其工作與晶體硅太陽電池沒有大的區別,但是有幾個重要不同點。

  首先,單晶硅是間接躍遷型半導體,其吸收系數較小,為了充分吸收太陽光,需要200um的膜厚。相對應的非晶硅是直接躍遷型半導體,吸收系數上升很快,其值較大。因此,為滿足太陽電池要求,其膜厚一般為0.3~0.6um,可實現薄膜化。

  另外,非晶體太陽電池的結構并不是P-N結,而是P-IN結構。通常非晶硅的P-N結不顯示整流性,而顯示近似于歐姆接觸的特性。這是因為P層及N層的缺陷能級密度很大,受限于通過這種缺陷之間的復合電流或隧道電流,因此作為太陽電池,設定P層與N層中間的摻雜層為1層,形成P-I-N結構。I層的缺陷能級為1015eV-↓.cm-3.大部分區域都被耗盡,可以通過過渡層內的電場從P層至N層收集光生載流子。另外,由于P層及N層的缺陷能級密度較高,當作為光電轉換層時,考慮到內層是死層(dead layer),當厚度較厚時,不能忽略串聯電阻。因此,非晶體太陽電池采用厚度為數十納米的P、N層,中間有0.3~0.6yum的I層的結構。

  該結構的非晶硅太陽電池和晶體硅太陽電池的電流電壓特性的比較。在光照射下,晶體硅太陽電池的電流電壓特性可大致表示成暗狀態下的電流-電壓特性中加入光電流。相對地,非晶硅太陽電池的電流-電壓特性顯示偏壓特性。也就是說,加入正向偏壓會減少光電流。晶體硅太陽電池的少數載流子擴散長度較長,對光電流有作用的主要是在耗盡層以外的中性區域中發生的載流子。另外,加入正向偏壓時,電位與耗盡層兩端有關,對激勵載流子的收集效率沒有影響,因此光電流并不能表示偏壓特性。另一方面,非晶體太陽電池的少數載流子擴散長度較短,電場區域以外光電流的作用較小。對光電流起作用的是I層內激勵的載流子。這時收集載流子,與偏壓無關,I層內的電場很強,收集效率也很高。但是加入正向偏壓的話,I層內的電場會減弱,在光入射側深處,激勵的載流子復合又喪失,載流子收集效率降低。因此,光電流與偏壓會同時減少。

CIGS-12W.jpg

  ②非晶硅太陽電池的高效率化技術 非晶硅太陽電池的基本結構,其支撐襯底的種類大致可分為兩類:種是將玻璃等透光性襯底作為光人射側支撐的結構 ,一般由襯底/透明導電性氧化物(TCO) /P層/1層/N層/背面電極構成;另一種是將塑料等不透光性支撐襯底用于太陽電池背面的結構,由金屬柵極/TCO層/P層/1層/N層/背面電極/村底構成。不管是何種結構,非晶體太陽電池的半導體層一般都是由P層/層/N層這三層構成。1層是光電流生成層及輸送層,P層和N層是生成促進1層中載流子漂移的內建電場,收集光生載流子的電極層.非晶硅太陽電池人時光的主要能量損失。

  更多關于太陽能電池板的知識,請繼續關注深圳太陽能電池板廠家-深圳市迪晟能源技術有限公司,或者到太陽能電池板車間參觀考察。


相關標簽:CIGS薄膜太陽能電池板,太陽能電池板,太陽能板廠家,CIGS

最近瀏覽:

手机彩票软件排行榜 股票推荐排名的有多坑 股票配资平台哪个安全c贵丰配资 有没有正规的股票配资平台 08年上证指数图 国内十大期货配资公司 658金融网 新浪理财平台 什么是开放式基金 股票融资技巧·杨方配资 基金理财平台大全 股票配资平台哪个正规 李嘉诚的理财之道 短线股票推荐,公众号 上证指数每日行情凤凰 股票行情今天大盘8月15 高升网